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हाई फिलिंग एपॉक्सी रेजिन की उच्च चिपचिपाहट की समस्या का समाधान कैसे करें?

उच्च भरने वाली एपॉक्सी राल प्रणाली, अपनी उत्कृष्ट यांत्रिक शक्ति, थर्मल इन्सुलेशन, लौ मंदता और आयामी स्थिरता के साथ, इलेक्ट्रॉनिक एनकैप्सुलेशन, पावर डिवाइस पैकेजिंग, समग्र सामग्री मोल्डिंग, उच्च अंत चिपकने वाले और विद्युत कास्टिंग जैसे वैश्विक उच्च अंत विनिर्माण क्षेत्रों में एक मुख्य सामग्री बन गई है। उच्च ठोस सामग्री, उच्च तापीय चालकता और उच्च ज्वाला मंदक फॉर्मूलेशन की आवश्यकताओं के तहत, अकार्बनिक भराव (जैसे एल्यूमिना,एल्यूमीनियम हाइड्रॉक्साइड, मैग्नीशियम ऑक्साइड, सिलिकॉन माइक्रो पाउडर, बोरोन नाइट्राइड, आदि) अक्सर 60wt% से अधिक होता है। इससे उच्च प्रणाली चिपचिपाहट, खराब प्रवाह क्षमता, अपर्याप्त वेटेबिलिटी, बुलबुले हटाने में कठिनाई, गठन दोषों में वृद्धि, और स्वचालित अनुप्रयोग प्रक्रियाओं की खराब अनुकूलनशीलता जैसी समस्याएं पैदा होती हैं, जो उत्पाद की गुणवत्ता और उत्पादन दक्षता को सीमित करने वाली प्रमुख बाधाएं बन जाती हैं।



Ⅰ.उच्च भरे एपॉक्सी राल की बढ़ती चिपचिपाहट का मुख्य कारण

उच्च भरने वाले एपॉक्सी सिस्टम की चिपचिपाहट में असामान्य वृद्धि किसी एक कारक के कारण नहीं होती है, बल्कि कई तंत्रों के सुपरपोजिशन के कारण होती है:

1. फिलर रेजिन इंटरफ़ेस पर खराब संगतता: अकार्बनिक फिलर्स में मजबूत सतह ध्रुवता और घने हाइड्रॉक्सिल समूह होते हैं, जो गैर-ध्रुवीय एपॉक्सी मैट्रिसेस के साथ मजबूत इंटरैक्शन बनाते हैं, जिससे कण एकत्रित हो जाते हैं और सिस्टम के भीतर घर्षण प्रतिरोध में काफी वृद्धि होती है;

2. फिलर्स का अनुचित विशिष्ट सतह क्षेत्र और कण आकार वितरण: नैनो फिलर्स और अल्ट्राफाइन फिलर्स का एक बड़ा विशिष्ट सतह क्षेत्र होता है, जो बड़ी संख्या में राल अणुओं को सोख लेता है और एक "कोटिंग परत" बनाता है, जिसके परिणामस्वरूप प्रभावी मोबाइल चरण में कमी आती है; एकल कण आकार के भरावों में बड़े अंतराल होते हैं और चिपचिपाहट को और बढ़ाने के लिए अधिक राल भरने की आवश्यकता होती है;

3. राल मैट्रिक्स की आंतरिक चिपचिपाहट अपेक्षाकृत अधिक है: उच्च समकक्ष एपॉक्सी रेजिन जैसे बिस्फेनॉल ए और फेनोलिक रेजिन में लंबी आणविक श्रृंखलाएं और मजबूत अंतर-आणविक बल होते हैं। जब नहीं भरा जाता है, तो चिपचिपाहट हजारों mPa · s तक पहुंच जाती है, और उच्च भरने के बाद, चिपचिपाहट तेजी से बढ़ जाती है;

4. अपर्याप्त फैलाव प्रक्रिया: कम मिश्रण, पीसने और फैलाव दक्षता, अधूरा अपघटन और भराव का एकत्रीकरण, माध्यमिक समुच्चय का गठन, छद्मप्लास्टिकिटी में असामान्य वृद्धि और सिस्टम का असमान प्रवाह;

5. एडिटिव्स की कमी या अनुचित चयन: प्रभावी गीला करने और फैलाने वाले एजेंटों या कपलिंग एजेंटों के बिना, इंटरफेशियल तनाव को कम नहीं किया जा सकता है, सिस्टम की थिक्सोट्रोपिक संरचना अत्यधिक निर्मित होती है, और स्थैतिक चिपचिपाहट और निर्माण चिपचिपाहट दोनों उच्च होती हैं।


कारण की पहचान करने के बाद, आणविक स्तर के डिज़ाइन, इंटरफ़ेस संशोधन और सटीक प्रक्रिया नियंत्रण के माध्यम से, भराव की मात्रा को कम किए बिना या इलाज के बाद प्रदर्शन का त्याग किए बिना 30% -80% की नियंत्रणीय चिपचिपाहट में कमी प्राप्त करना संभव है।


Ⅱ.फॉर्मूला पुनर्निर्माण: कम चिपचिपापन राल मैट्रिक्स का चयन और संयोजन

रेज़िन मैट्रिक्स सिस्टम चिपचिपाहट का आधार है, और मैट्रिक्स फॉर्मूला का अनुकूलन चिपचिपाहट को कम करने, पर्यावरण संरक्षण, कम अस्थिरता और दुनिया भर में उच्च-अंत सामग्री की उच्च विश्वसनीयता आवश्यकताओं को अपनाने के लिए स्रोत समाधान है।

1. कम चिपचिपापन, उच्च प्रतिक्रियाशीलता एपॉक्सी राल चुनें

कम आणविक भार बिस्फेनॉल ए-प्रकार एपॉक्सी (ई51/ई44 कम चिपचिपापन ग्रेड), एलिफैटिक एपॉक्सी, साइक्लोएलिफैटिक एपॉक्सी और पतला संशोधित एपॉक्सी को प्राथमिकता दी जानी चाहिए। चिपचिपाहट को 25 ℃ पर 500-3000mPa·s पर नियंत्रित किया जाना चाहिए, जो पारंपरिक उच्च चिपचिपापन एपॉक्सी की तुलना में चिपचिपाहट में कमी की बुनियादी दक्षता को 40% से अधिक बढ़ा देता है। एलिसाइक्लिक एपॉक्सी पीलेपन और मौसम प्रतिरोध के प्रतिरोध के साथ कम चिपचिपाहट को जोड़ती है, जो इसे आउटडोर इलेक्ट्रॉनिक्स, फोटोवोल्टिक्स और ऑटोमोटिव इलेक्ट्रॉनिक्स जैसे उच्च-स्तरीय विदेशी अनुप्रयोगों के लिए उपयुक्त बनाती है।

2. सक्रिय मंदक का सटीक संयोजन (गैर विलायक प्रकार, RoHS/REACH के अनुरूप)

वाष्पशील गैर प्रतिक्रियाशील मंदक को त्यागें और एकल कार्यात्मक/द्विकार्यात्मक/बहुकार्यात्मक प्रतिक्रियाशील मंदक (ब्यूटाइल ग्लाइसीडिल ईथर बीजीई, एलिल ग्लाइसीडील ईथर एजीई, एथिलीन ग्लाइकॉल डिग्लाइसीडिल ईथर ईजीडीई, नियोपेंटाइल ग्लाइकोल डिग्लाइसीडिल ईथर) का 5% -15% की अतिरिक्त मात्रा के साथ उपयोग करें ताकि अवशेष या माइग्रेशन के बिना क्रॉसलिंकिंग को ठीक करने में भाग लिया जा सके, गर्मी प्रतिरोध और चिपकने में कमी से बचा जा सके। ताकत. दोहरे कार्यात्मक मंदक में सबसे अच्छी चिपचिपाहट कम करने की दक्षता होती है और यह ठीक की गई सामग्री के क्रॉसलिंकिंग घनत्व को बनाए रख सकता है, जो उच्च भरने वाली प्रणालियों की ताकत आवश्यकताओं के लिए उपयुक्त है।

3. कम चिपचिपापन इलाज एजेंट सहक्रियात्मक मिलान

एपॉक्सी मैट्रिक्स के साथ संगतता में सुधार और मिश्रण के बाद चिपचिपाहट में अचानक वृद्धि से बचने के साथ-साथ इलाज करने वाले एजेंट घटकों की चिपचिपाहट को कम करने के लिए संशोधित फैटी एमाइन, पॉलीथेरामाइन, कम चिपचिपापन एनहाइड्राइड और अव्यक्त कम चिपचिपापन इलाज एजेंटों का चयन करें। पॉलीथर अमीन क्योरिंग एजेंट लचीले श्रृंखला खंडों के साथ आते हैं, जो सिस्टम के भीतर घर्षण को कम कर सकते हैं, चिपचिपाहट में कमी और कठोरता में सुधार को संतुलित कर सकते हैं, और वैश्विक नई ऊर्जा और रेल पारगमन क्षेत्रों की कठोर आवश्यकताओं को पूरा कर सकते हैं।


Ⅲ.फ़िलर संशोधन और ग्रेडिंग डिज़ाइन: इंटरफ़ेस से संचय तक व्यापक अनुकूलन

फिलर्स उच्च फिलिंग प्रणालियों के मूल हैं, और सतह संशोधन और कण आकार ग्रेडिंग जोड़े गए फिलर्स की मात्रा को कम किए बिना चिपचिपाहट को कम करने के लिए प्रमुख तकनीकी मार्ग हैं, साथ ही उच्च अंत एपॉक्सी फॉर्मूलेशन की मुख्य प्रतिस्पर्धात्मकता भी हैं।

1. फिलर्स का सतही संशोधन: इंटरफेशियल ऊर्जा को कम करें और फैलाव में सुधार करें

फिलर की सतह पर एक कार्बनिक कोटिंग परत बनाने के लिए फिलर को सिलेन कपलिंग एजेंट (KH550/KH560/KH570), टाइटेनेट कपलिंग एजेंट, एल्यूमिनेट कपलिंग एजेंट और हाइपरब्रांच्ड पॉलिमर संशोधक के साथ पूर्व उपचारित करें।

-सतह की ध्रुवीयता को कम करें, कणों के बीच हाइड्रोजन बॉन्डिंग और वैन डेर वाल्स बलों को कम करें, और ढेर को रोकें;

- एपॉक्सी मैट्रिक्स के साथ अनुकूलता में सुधार, इंटरफ़ेस रिक्तियों को कम करना और प्रवाह प्रतिरोध को कम करना;

-संशोधन के बाद, उच्च भराव प्रणाली (≥ 70wt%) की चिपचिपाहट को 40% -60% तक कम किया जा सकता है, जबकि ठीक की गई सामग्री की तापीय चालकता, इन्सुलेशन और यांत्रिक शक्ति में सुधार होता है।

2. बहु कण आकार ग्रेडिंग: राल के उपयोग को कम करने के लिए कसकर पैक किया गया

टाइट पैकिंग के सिद्धांत के बाद, बड़े कण आकार, मध्यम कण आकार, छोटे कण आकार और नैनोमीटर आकार (जैसे 50 μm+10 μm+2 μm+50nm) से युक्त चार स्तरीय ग्रेडिंग प्रणाली को अपनाया जाता है। छोटे कण आकार के भराव बड़े कण आकार के अंतराल को भरते हैं, जिससे सिस्टम सरंध्रता और राल एनकैप्सुलेशन में काफी कमी आती है। समान ठोस सामग्री के तहत चिपचिपाहट को 30% से अधिक कम किया जा सकता है। अत्यधिक विशिष्ट सतह क्षेत्र के कारण चिपचिपाहट की पुनरावृत्ति को रोकने के लिए ग्रेडिंग डिज़ाइन में नैनो फिलर्स के अत्यधिक जोड़ से बचना चाहिए।

3. भराव आकृति विज्ञान का इष्टतम चयन

गोलाकार सिलिकॉन माइक्रो पाउडर, गोलाकार एल्यूमिना और गोलाकार बोरान नाइट्राइड के उपयोग को प्राथमिकता दी जानी चाहिए। गोलाकार भरावों का रोलिंग प्रतिरोध अनियमित शीट-जैसे और सुई के आकार के भरावों की तुलना में बहुत कम है, और प्रवाह क्षमता में काफी सुधार हुआ है। यह हाई-एंड इलेक्ट्रॉनिक पॉटिंग और एपॉक्सी प्लास्टिक सीलिंग सामग्री के लिए पसंदीदा फिलर फॉर्म है।


Ⅳ.विशेषीकृत योगात्मक प्रणाली: गीला फैलाव और रियोलॉजी का सटीक नियंत्रण

एडिटिव वैश्विक पर्यावरण नियमों और उच्च-अंत सामग्री प्रदर्शन आवश्यकताओं के अनुरूप, "कम जोड़, उच्च चिपचिपाहट में कमी" प्राप्त करने के लिए सटीक चयन के साथ, उच्च भरने वाले एपॉक्सी सिस्टम के लिए एक चिपचिपापन नियामक है।

1. कुशल गीला करने और फैलाने वाला एजेंट

0.5% -3% की अतिरिक्त मात्रा के साथ एपॉक्सी कार्यात्मक डिस्पेंसर, पॉलीएक्रेलिक एस्टर डिस्पेंसर, फॉस्फेट एस्टर डिस्पेंसर और हाइपरब्रांच्ड डिस्पेंसर का उपयोग करके, भराव की सतह को जल्दी से गीला कर दें, एग्लोमेरेट्स को तोड़ दें, एक स्थानिक रूप से स्थिर परत बनाएं, अंतर कण घर्षण को कम करें, और चिपचिपाहट को 30% -50% तक कम करें। उच्च ठोस सामग्री प्रणालियों के लिए मजबूत चिपचिपाहट कम करने वाले फैलाने वालों का उपयोग करने की सिफारिश की जाती है, जो नैनो फिलर्स और उच्च विशिष्ट सतह क्षेत्र फिलर सिस्टम के लिए उपयुक्त हैं।

2. रियोलॉजिकल संशोधक: कतरनी को पतला करने, निर्माण को संतुलित करने और सैगिंग को रोकने में मदद करता है

एक नियंत्रणीय थिक्सोट्रोपिक संरचना के निर्माण के लिए गैस-चरण सिलिका, पॉलियामाइड मोम, हाइड्रोजनीकृत अरंडी का तेल और कार्बनिक बेंटोनाइट जोड़ें:

-आराम के समय: भरने वाली सामग्री के अवसादन को रोकने के लिए उच्च चिपचिपाहट;

-कतरनी के दौरान (सरगर्मी, वितरण, सीलिंग, डालना): चिपचिपाहट तेजी से कम हो जाती है और तरलता उत्कृष्ट होती है;

"कम निर्माण चिपचिपाहट+उच्च स्थैतिक स्थिरता" को समझें और स्वचालित वितरण, वैक्यूम सीलिंग और आरटीएम मोल्डिंग जैसी वैश्विक मुख्यधारा प्रक्रियाओं को अपनाएं।

3. डिफॉमर और लेवलिंग एजेंट के बीच सहयोग

उच्च चिपचिपाहट वाली प्रणालियों में बुलबुले फंसने का खतरा होता है और उन्हें डिस्चार्ज करना मुश्किल होता है। कार्बनिक सिलिकॉन डिफोमर्स और गैर सिलिकॉन लेवलिंग एजेंटों को जोड़ने से बुलबुले के अवशेषों को कम किया जा सकता है, सिस्टम की एकरूपता में सुधार हो सकता है, और बुलबुले के कारण होने वाली चिपचिपाहट आभासी उच्च और मोल्डिंग दोषों से बचा जा सकता है।


Ⅴ.हाई-एंड एप्लिकेशन परिदृश्यों के लिए अनुकूलित एंटी स्टिकिंग समाधान

प्रदर्शन, प्रक्रिया और पर्यावरण अनुपालन को संतुलित करते हुए विभिन्न क्षेत्रों में वैश्विक बाजार की मांगों के लिए विभेदित समाधान प्रदान करें:

1. इलेक्ट्रॉनिक एनकैप्सुलेशन/पावर डिवाइस पैकेजिंग: गोलाकार भराव ग्रेडिंग + सिलेन संशोधन + कम चिपचिपापन एपॉक्सी राल, उच्च तापीय चालकता, कम चिपचिपापन और उच्च इन्सुलेशन प्राप्त करना, ऑटोमोटिव इलेक्ट्रॉनिक्स, 5 जी संचार और फोटोवोल्टिक इनवर्टर के लिए उपयुक्त;

2. समग्र सामग्री आरटीएम/वैक्यूम इन्फ्यूजन: कम चिपचिपापन सक्रिय कमजोर पड़ने वाला कंपाउंडिंग + कुशल फैलाव + कतरनी पतला रियोलॉजी, फाइबर पर राल की वेटेबिलिटी में सुधार, एयरोस्पेस और पवन टरबाइन ब्लेड के लिए उपयुक्त;

3. उच्च अंत चिपकने वाला/सीलेंट: पॉलीथर अमीन इलाज एजेंट + हाइपरब्रांच्ड फैलाव, कम चिपचिपापन, उच्च चिपकने वाला, विलायक मुक्त, नई ऊर्जा बैटरी और रेल पारगमन के लिए उपयुक्त;

4. विद्युत कास्टिंग/इन्सुलेशन घटक: उच्च ज्वाला मंदक भराव उन्नयन + युग्मन संशोधन + कम चिपचिपापन एपॉक्सी, उच्च वोल्टेज विद्युत और ट्रांसमिशन उपकरण के लिए उपयुक्त, वैश्विक आईईसी और यूएल मानकों को पूरा करते हुए।


निष्कर्ष

उच्च भरे एपॉक्सी राल की चिपचिपाहट का मुद्दा एकल लिंक की कमजोरी के बजाय फॉर्मूलेशन, फिलर्स, एडिटिव्स और प्रक्रियाओं में एक प्रणालीगत समस्या है। कम चिपचिपापन मैट्रिक्स के संयोजन, सतह संशोधन और भराव की ग्रेडिंग, विशेष योजक के सटीक चयन और कुशल फैलाव प्रक्रिया के माध्यम से, उच्च चिपचिपाहट के उद्योग के दर्द बिंदु को उच्च भरने के फायदे को बनाए रखते हुए, उत्पाद की उपज, उत्पादन दक्षता और वैश्विक बाजार प्रतिस्पर्धात्मकता में सुधार करते हुए पूरी तरह से हल किया जा सकता है।

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